IC Chips
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R6025ANZ, N-channel, 25A, 600V, 0.15 ohms, TO-3PF, Mosfet
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RB751S40T1G, 40v, 500mA, Diodo Schottky SMD
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RJH30E2, 360V, 30A, TO-220FL, N-channel IGBT, Uitlizado en: Samsung: PL42C450B1XUG, Se puede sustituir por el RJP63K2.
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RJP30E2, 360v, 35A, TO220, N-Channel IGBT, Transitor Fuente Samsung PL51D550 IGBT
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RJP30E4, N-Channel, 360V, 35A IGBT High Speed Power Switching. Package: TO-263/D-PAK . Utilizado en: TC-P42X20P
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RJP4002ASA, N-channel, 150A, 400V, drive voltage 2,5v, TSSOP-8, Renesas, IGBT, IGBT for strobe flash
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RJP4009ANS, N-channel, 150A, 400V, drive voltage 2,5v, VSON-8, Renesas, Nch IGBT for strobe flash, Sustituto de RJP4007
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RJP4301APP, IGBT for Strobe Flash, 200A, 430V, TO-220FN. Se puede instalar en lugar de: IXGP36N60A3, TIG056
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RJP5001, N-channel, 300A,500V, TO-220FN, IGBT, Utilizado en: Nikon SB900
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